বাড়ি পণ্য <html> <head> <meta name="robots" content="noarchive" /> <meta name="googlebot" content="nosnippe

প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ডের জন্য 2 এ 50-1000 ভি ডায়োড ব্রিজ রেকটিফায়ার DB201S-DB207S

সব পণ্য

থার্মিস্টর ডায়োড (17)

ডিআইএসি ট্রিগার ডায়োড (13)

সাধারণ উদ্দেশ্য রেকটিফায়ার ডায়োড (25)

জেনার ডায়োডের (31)

টিভিএস ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ দমনকারী ডায়োড (10)

উচ্চ ভোল্টেজ ডায়োড (11)

সিডাক ডায়োড (10)

দ্রুত পুনরুদ্ধার রেকটিফায়ার ডায়োড (17)

আল্ট্রা ফাস্ট রিকভারি রেকটিফায়ার ডায়োড (10)

উচ্চ দক্ষতা রেকটিফায়ার ডায়োড (10)

হাই স্পিড স্যুইচিং ডায়োড (23)

স্কটকি ব্যারিয়ার ডায়োড (39)

ছোট সিগন্যাল স্কটকি ডায়োড (16)

<html> <head> <meta name="robots" content="noarchive" /> <meta name="googlebot" content="nosnippe (22)

এনটিসি থার্মিস্টর (16)

চীন Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. সার্টিফিকেশন

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ডের জন্য 2 এ 50-1000 ভি ডায়োড ব্রিজ রেকটিফায়ার DB201S-DB207S

2A 50-1000V Diode Bridge Rectifier DB201S-DB207S For Printed Circuit Board

বড় ইমেজ : প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ডের জন্য 2 এ 50-1000 ভি ডায়োড ব্রিজ রেকটিফায়ার DB201S-DB207S

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	চীন
পরিচিতিমুলক নাম:	XUYANG
সাক্ষ্যদান:	ISO9001/RoHS
মডেল নম্বার:	DB201S-DB207S

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	1000pcs
মূল্য:	negotiation
প্যাকেজিং বিবরণ:	রিলে টেপ, 1000 পিসি / রিলে
ডেলিভারি সময়:	7 - 10 কাজ দিন
পরিশোধের শর্ত:	T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, পে
যোগানের ক্ষমতা:	প্রতি সপ্তাহে 10000pcs

যোগাযোগ

বিস্তারিত পণ্যের বর্ণনা

অংশ সংখ্যা:	DB201S-DB207S	বর্তমান:	2A
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ:	50-1000V	প্যাকেজ:	ডিবি-এস
যদি:	1.2V @ 2A	SPQ:	1000pcs
অপারেটিং তাপমাত্রা:	-55 ডিগ্রি সেলসিয়াস থেকে + 150 ° সে	সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা:	-55 ডিগ্রি সেলসিয়াস থেকে + 150 ° সে
লক্ষণীয় করা:	passivated bridge rectifier , single phase bridge rectifier

2.0Amp DB-S প্যাকেজ ব্রিজ ডায়োড ব্রিজ রেকটিফায়ার DB201S এর মাধ্যমে DB207S

বৈশিষ্ট্য

* প্লাস্টিক উপাদানের আন্ডার রাইটারস ল্যাবরেটরি দাহ্যতা শ্রেণিবদ্ধকরণ 94 ভি -0 রয়েছে
* 60 অ্যাম্পিয়ারের শীর্ষে উচ্চ বর্ধমান ওভারলোড রেটিং
* প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ডের জন্য আদর্শ
* গ্লাস প্যাসিভেটেড চিপ জংশন

মেকানিক্যাল ডেটা

* কেস: ছাঁচযুক্ত প্লাস্টিক, ডিবি-এস

* ইপোক্সি: উল 94V-O হার শিখা retardant

* টার্মিনালগুলি: মিল-এসটিডি -২০২ প্রতি 209 গতিযুক্ত পদ্ধতিতে নেতৃত্বাধীন

* মাউন্টিং অবস্থান: যে কোনও

সর্বাধিক রেটিং এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য

রেটিং 25 ℃ পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা নির্দিষ্ট করে দেওয়া অন্যগুলি এক করে।
একক ফেজ অর্ধ তরঙ্গ, 60Hz, প্রতিরোধী বা ইনডাকটিভ লোড।
ক্যাপাসিটিভ লোডের জন্য, 20% দ্বারা স্রোতকে বর্তমান করুন

স্থিতিমাপ	প্রতীক	DB201S	DB202S	DB203S	DB204S	DB205S	DB206S	DB207S	ইউনিট
সর্বোচ্চ পুনরাবৃত্তি পিক বিপরীত ভোল্টেজ	VRRM	50	100	200	400	600	800	1000	ভী
সর্বাধিক আরএমএস ব্রিজ ইনপুট ভোল্টেজ	VRMS	35	70	140	280	420	560	700	ভী
সর্বাধিক ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ	ভিডিসি	50	100	200	400	600	800	1000	ভী
সর্বাধিক ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ 2.0A ডিসি এবং 25 ℃ এ ℃	VF	1.1							ভী
সর্বাধিক ডিসি রেটযুক্ত টিএ = 25 সি তে বিপরীত বর্তমান ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ প্রতি উপাদান টিএ = 125 সি	আইআর	5.0 500							μA
সর্বাধিক গড় ফরোয়ার্ড সংশোধিত TA = 40 C এ আউটপুট কারেন্ট	যদি (এভি)	2.0							একজন
পিক ফরোয়ার্ড সার্জ কারেন্ট, 8.3 এমএস একক অর্ধ সাইন-ওয়েভ রেট করা লোড (জেইডিসি পদ্ধতি) এর উপর সুপারপোজড	IFSM	60							একজন
সাধারণ তাপীয় প্রতিরোধের (নোট 2)	RθJA	40							℃ / ওয়াট
সাধারণ তাপীয় প্রতিরোধের (নোট 2)	RθJL	15							℃ / ওয়াট
সাধারণ জংশন ক্যাপাসিট্যান্স (নোট 1)	CJ	25							PF
অপারেটিং জংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসর	tj, TSTG	-55--150							℃

নোট:
1- 1 মেগাহার্টজ এ পরিমাপ করা হয় এবং 4.0 ভিডিসির বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়।
2- ইউনিটগুলি 0.5 x 0.5 "(13 x 13 মিমি) তামা প্যাড সহ পিসিবিতে মাউন্ট করা হয়েছে

আকার: