4ns দ্রুত 1n4150 ডায়োড, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার সাথে সিগন্যাল ডায়োড স্যুইচিং

সব পণ্য

থার্মিস্টর ডায়োড (17)

ডিআইএসি ট্রিগার ডায়োড (13)

সাধারণ উদ্দেশ্য রেকটিফায়ার ডায়োড (25)

জেনার ডায়োডের (31)

টিভিএস ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ দমনকারী ডায়োড (10)

উচ্চ ভোল্টেজ ডায়োড (11)

সিডাক ডায়োড (10)

দ্রুত পুনরুদ্ধার রেকটিফায়ার ডায়োড (17)

আল্ট্রা ফাস্ট রিকভারি রেকটিফায়ার ডায়োড (10)

উচ্চ দক্ষতা রেকটিফায়ার ডায়োড (10)

হাই স্পিড স্যুইচিং ডায়োড (23)

স্কটকি ব্যারিয়ার ডায়োড (39)

ছোট সিগন্যাল স্কটকি ডায়োড (16)

<html> <head> <meta name="robots" content="noarchive" /> <meta name="googlebot" content="nosnippe (22)

এনটিসি থার্মিস্টর (16)

চীন Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. সার্টিফিকেশন

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

4ns দ্রুত 1n4150 ডায়োড, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার সাথে সিগন্যাল ডায়োড স্যুইচিং

বড় ইমেজ : 4ns দ্রুত 1n4150 ডায়োড, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার সাথে সিগন্যাল ডায়োড স্যুইচিং

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	চীন
পরিচিতিমুলক নাম:	XUYANG
সাক্ষ্যদান:	ISO9001/RoHS
মডেল নম্বার:	1N4150

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	5000PCS
মূল্য:	negotiation
প্যাকেজিং বিবরণ:	বাক্সে টেপ, 5000 পিসি / বাক্স
ডেলিভারি সময়:	5 - 8 কাজের দিন
পরিশোধের শর্ত:	T/T, পশ্চিম ইউনিয়ন
যোগানের ক্ষমতা:	প্রতি 1 সপ্তাহে 100000pcs

যোগাযোগ

বিস্তারিত পণ্যের বর্ণনা

নাম:	হাই স্পিড স্যুইচিং ডায়োড	অংশ সংখ্যা:	1N4150
ভি:	40V	প্যাকেজ:	Do-35
পুনরুদ্ধারের সময়::	4ns	শিপিং দ্বারা:	DHLUPSFedexEMSsea
লক্ষণীয় করা:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

1N4150 হাই স্পিড স্যুইচিং ডায়োড 1N4150 50V 200MA ডিও -35 প্যাকেজ সহ

বৈশিষ্ট্য

1. উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা
2. উচ্চ ফরোয়ার্ড বর্তমান ক্ষমতা

।

অ্যাপ্লিকেশন

কম্পিউটার এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উচ্চ গতির স্যুইচ এবং সাধারণ উদ্দেশ্যে ব্যবহার

নির্মাণ

সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল প্ল্যানার

মেকানিক্যাল ডেটা

কেস: ডিও -35, মিনিএমএলএফ

টার্মিনাল: ধাতুপট্টাবৃত লিড প্রতি মিল-এসটিডি -202, পদ্ধতি 208 প্রতি বিক্রয়যোগ্য

পোলারিটি: ক্যাথোড ব্যান্ড

ওজন: ডিও -35 0.13 গ্রাম মিনিএমএলএফ 0.05 গ্রাম

চিহ্নিতকরণ: কেবল ক্যাথোড ব্যান্ড

পরম সর্বোচ্চ রেটিং

টি _জে = 25। সে

স্থিতিমাপ	পরীক্ষা শর্ত	প্রতীক	মান	একক
পুনরাবৃত্তি পিক বিপরীত ভোল্টেজ		VRRM	50	ভী
বিপরীত ভোল্টেজ		ভি	40	ভী
পিক ফরোয়ার্ড স্রোতের বর্তমান	tp ≦ 1 s	IFSM	4	একজন
ফরোয়ার্ড বর্তমান		যদি	600	mA বিদ্যুত
গড় ফরোয়ার্ড বর্তমান	ভি _আর = 0	আমি _FAV	300	mA বিদ্যুত
বিদ্যুৎ অপচয়		PV	500	মেগাওয়াট
সন্ধি তাপমাত্রা		TJ	175	℃
স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা		Tstg	-65 ~ + + 125	℃

সর্বাধিক তাপীয় প্রতিরোধের

টি _জে = 25। সে

স্থিতিমাপ	পরীক্ষা শর্ত	প্রতীক	মান	একক
জংশন পরিবেষ্টন	পিসি বোর্ডে 50 মিমি × 50 মিমি × 1.6 মিমি	RthJA	500	কে / ওয়াট

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

টি _জে = 25। সে

স্থিতিমাপ	পরিক্ষামুলক অবস্থা	প্রতীক	ন্যূনতম	typ	ম্যাক্স	একক
সম্মুখ বিভবের	আইএফ = 1 এমএ	VF	0.54		0.62	ভী
	আইএফ = 10 এমএ	VF	0.66		0.74	ভী
	আইএফ = 50 এমএ	VF	0.76		0.86	ভী
	আইএফ = 100mA	VF	0.82		0.92	ভী
	আইএফ = 200 এমএ	VF	0.87		1.0	ভী
বিপরীতমুখী বিদ্যুৎ	ভিআর = 20 ভি	আমি _আর			100	nA
বিপরীতমুখী বিদ্যুৎ	ভিআর = 50 ভি, টিজে = 150 ° সে	আমি _আর			100	μA
ডায়োড ক্যাপাসিট্যান্স	ভিআর = 0, এফ = 1 মেগাহার্টজ, ভি _{এইচএফ} -50 এমভি	সি _ডি			2.5	PF
বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময়	IF = I _R = 10… 100mA, IR = 1mA, আরএল = 100Ω	trr			4	NS