বাড়ি পণ্য <html> <head> <meta name="robots" content="noarchive" /> <meta name="googlebot" content="nosnippe

50-1000V একক পর্যায়ক্রমে কাচ প্যাসিভেটেড সিলিকন ব্রিজ রেক্টিফায়ার DB201-DB207

সব পণ্য

থার্মিস্টর ডায়োড (17)

ডিআইএসি ট্রিগার ডায়োড (13)

সাধারণ উদ্দেশ্য রেকটিফায়ার ডায়োড (25)

জেনার ডায়োডের (31)

টিভিএস ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ দমনকারী ডায়োড (10)

উচ্চ ভোল্টেজ ডায়োড (11)

সিডাক ডায়োড (10)

দ্রুত পুনরুদ্ধার রেকটিফায়ার ডায়োড (17)

আল্ট্রা ফাস্ট রিকভারি রেকটিফায়ার ডায়োড (10)

উচ্চ দক্ষতা রেকটিফায়ার ডায়োড (10)

হাই স্পিড স্যুইচিং ডায়োড (23)

স্কটকি ব্যারিয়ার ডায়োড (39)

ছোট সিগন্যাল স্কটকি ডায়োড (16)

<html> <head> <meta name="robots" content="noarchive" /> <meta name="googlebot" content="nosnippe (22)

এনটিসি থার্মিস্টর (16)

চীন Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. সার্টিফিকেশন

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

50-1000V একক পর্যায়ক্রমে কাচ প্যাসিভেটেড সিলিকন ব্রিজ রেক্টিফায়ার DB201-DB207

50-1000V Single Phased Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier DB201-DB207

বড় ইমেজ : 50-1000V একক পর্যায়ক্রমে কাচ প্যাসিভেটেড সিলিকন ব্রিজ রেক্টিফায়ার DB201-DB207

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	চীন
পরিচিতিমুলক নাম:	XUYANG
সাক্ষ্যদান:	ISO9001/RoHS
মডেল নম্বার:	DB201-DB207

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	1000pcs
মূল্য:	negotiation
প্যাকেজিং বিবরণ:	রিলে টেপ, 1000 পিসি / রিলে
ডেলিভারি সময়:	7 - 10 কাজ দিন
পরিশোধের শর্ত:	T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, পে
যোগানের ক্ষমতা:	প্রতি সপ্তাহে 10000pcs

যোগাযোগ

বিস্তারিত পণ্যের বর্ণনা

অংশ সংখ্যা:	DB201-DB207	বর্তমান:	2A
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ:	50-1000V	SPQ:	1000pcs
অপারেটিং তাপমাত্রা:	-55। C থেকে + 150 ° C	সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা:	-55। C থেকে + 150 ° C
লক্ষণীয় করা:	bridge type rectifier , single phase bridge rectifier

2A 50-1000V একক পর্যায়ক্রমে কাচ প্যাসিভেটেড সিলিকন ব্রিজ রেক্টিফায়ার DB201-DB207

বৈশিষ্ট্য

* গ্লাস প্যাসিভেটেড চিপ জংশন
50 অ্যাম্পিয়ারের শীর্ষে উচ্চ বর্ধমান ওভারলোড রেটিং
* প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ডের জন্য আদর্শ
* লো ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ

* উচ্চ তাপমাত্রা সোল্ডারিং গ্যারান্টিযুক্ত: 10 সেকেন্ডের জন্য 260 ° সে

মেকানিক্যাল ডেটা

* কেস: ছাঁচযুক্ত প্লাস্টিক, ডিবি

* ইপোক্সি: উল 94V-O হার শিখা retardant

* টার্মিনালগুলি: মিল-এসটিডি -202 প্রতি 20,000 পদ্ধতি, গ্যারান্টিযুক্ত নেতৃত্বাধীন e

* মাউন্টিং অবস্থান: যে কোনও

সর্বাধিক রেটিং এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য

রেটিং 25 ℃ পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা নির্দিষ্ট করে দেওয়া অন্যগুলিকে এক করে দেয়।
একক ফেজ অর্ধ তরঙ্গ, 60Hz, প্রতিরোধী বা ইনডাকটিভ লোড।
ক্যাপাসিটিভ লোডের জন্য, 20% দ্বারা স্রোত বর্তমান করুন

স্থিতিমাপ	প্রতীক	DB201	DB202	DB203	DB204	DB205	DB206	DB207	ইউনিট
সর্বাধিক পুনরাবৃত্তি পিক বিপরীত ভোল্টেজ	VRRM	50	100	200	400	600	800	1000	ভী
সর্বাধিক আরএমএস ব্রিজ ইনপুট ভোল্টেজ	VRMS	35	70	140	280	420	560	700	ভী
সর্বাধিক ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ	ভিডিসি	50	100	200	400	600	800	1000	ভী
সর্বাধিক ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ 2.0A ডিসি এবং 25 ℃ এ ℃	VF	1.1							ভী
রেট করা টিএ = 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডে সর্বাধিক ডিসি বিপরীত বর্তমান ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ প্রতি উপাদান টিএ = 125 সি	আইআর	5.0 500							μA
সর্বাধিক গড় ফরোয়ার্ড সংশোধিত TA = 40 C এ আউটপুট কারেন্ট	যদি (এভি)	2.0							একজন
পিক ফরোয়ার্ড সার্জ কারেন্ট, 8.3 এমএস একক অর্ধ সাইন-ওয়েভ রেটেড লোড (জেইডিসি পদ্ধতি) -এ সুপারিম্পোজড	IFSM	60							একজন
সাধারণ তাপীয় প্রতিরোধের (নোট 2)	RθJA	40							℃ / ওয়াট
সাধারণ তাপীয় প্রতিরোধের (নোট 2)	RθJL	15							℃ / ওয়াট
সাধারণ জংশন ক্যাপাসিট্যান্স (নোট 1)	CJ	25							PF
অপারেটিং জংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসর	tj, TSTG	-55--150							℃

মন্তব্য:
1- 1 মেগাহার্টজ এ পরিমাপ করা হয় এবং 4.0 ভিডিসির বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়।
2- ইউনিটগুলি 0.5 x 0.5 "(13 x 13 মিমি) তামা প্যাড সহ পিসিবিতে লাগানো হয়েছে

আকার:

50-1000V একক পর্যায়ক্রমে কাচ প্যাসিভেটেড সিলিকন ব্রিজ রেক্টিফায়ার DB201-DB207 0